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現代模擬集成電路設計 版權信息
- ISBN：9787302639275
- 條形碼：9787302639275 ; 978-7-302-63927-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
現代模擬集成電路設計 本書特色
(1) 基于作者在哈佛大學和麻省理工學院的求學經歷，以及在得克薩斯大學奧斯汀分校10年的授課經歷，融匯世界著名高校對模擬電路設計的教學理念。 (2) 注重直覺理解，不依賴繁復公式推導，用簡單語言講解復雜原理，提升技術理解力，激發對模擬電路的興趣。 (3) 圍繞先進工藝節點，講解現代模擬集成電路設計方法，著重闡釋基于跨導效率的設計方法，絕大多數設計實例采用40nm工藝節點，充分展現在微米尺寸老工藝和納米尺寸新工藝下設計模擬電路的不同點。 (4) 提供350多幅圖表，力求對核心電路設計思想進行形象解釋，加深理解。 (5) 重視實踐，提供大量貼近實際的設計案例，考慮各種非理想因素，逐步指導讀者采用基于跨導效率的設計方法在40nm工藝下設計出滿足實際性能指標的單級和兩級跨導運算放大器。 講解簡單易懂，注重直覺理解；圍繞先進工藝節點介紹現代模擬集成電路分析與設計方法；包含大量設計實例
現代模擬集成電路設計 內容簡介
本書圍繞優選工藝節點,基于跨導效率的設計方法介紹現代模擬集成電路的分析與設計方法。全書大體上分為三部分: **部分(第1~7章)對模擬集成電路中的基本元件晶體管,以及基本的分析與設計方法進行介紹,包括晶體管的長溝道模型與小信號模型、晶體管的基本電路結構、晶體管的性能指標、基于跨導效率的模擬電路設計方法、模擬電路的帶寬分析方法、模擬電路中的噪聲等。第二部分(第 8~10章)介紹模擬電路設計中常見的一些問題與設計技巧,如器件偏差、差分結構、負反饋技術等,并 引入模擬電路中*常見的電路結構,即運算放大器與開關電容電路。第三部分(第11~14章)詳細介紹 了運算放大器的分析與設計方法,并提供完整的運算放大器設計實例作為參考。此外,第15章和第16章還介紹了基準源電路以及集成電路的工藝演進。 本書既可作為集成電路設計領域的本科生和研究生教材,也可供相關科研人員和工程技術人員參考。
現代模擬集成電路設計 目錄
第1章晶體管的長溝道模型
1.1MOS晶體管基本工作原理
1.2晶體管的電壓電流關系
1.3晶體管工作區的劃分
1.4晶體管本征電容
1.5晶體管寄生電容
1.5.1交疊電容
1.5.2pn結電容
1.5.3包含寄生電容的晶體管電容模型
1.5.4阱電容
1.6背柵效應
1.7本章小結
第2章放大器線性化分析
2.1基于晶體管大信號模型的放大器增益分析
2.2晶體管的小信號模型
2.2.1晶體管飽和區小信號模型
2.2.2晶體管線性區小信號模型
2.3基于晶體管小信號模型的放大器性能分析
2.4本章小結
第3章晶體管基本電路結構
3.1共源放大器
3.2共柵放大器
3.2.1輸入輸出特性
3.2.2輸入輸出阻抗
3.3共源共柵放大器
3.3.1共源共柵結構對電路增益的改善
3.3.2共源共柵結構對電路帶寬的改善
3.4共漏放大器
3.4.1共漏放大器的頻響特性
3.4.2共漏放大器的輸入輸出阻抗
3.4.3共漏 的應用
3.5電流鏡
3.5.1基本電流鏡
3.5.2共源共柵電流鏡
3.5.3電流鏡去耦
3.6本章小結
第4章晶體管的性能指標
4.1跨導效率、特征頻率和本征增益的定義
4.1.1跨導效率的定義
4.1.2特征頻率的定義
4.1.3本征增益的定義
4.1.4晶體管性能指...
展開全部
現代模擬集成電路設計 作者簡介
孫楠，清華大學教授。他2006年本科畢業于清華大學，2010博士畢業于哈佛大學。他在2011年入職美國德克薩斯大學奧斯丁分校，在2017年獲得 身教職。他在2018入選國家特聘專家，于同年在清華擔任特聘訪問教授，并從2020年起擔任長聘教授。他在2020年ISSCC會議上獲得了IEEE固態電路協會 次頒發的新前沿獎，2013年獲得美國自然科學基金Career Award。
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