包郵寬禁帶半導體氧化鎵:結構、制備與性能:structure, growth and physical properties

作者：陶緒堂[等]編著

出版社：西安電子科技大學出版社出版時間：2022-09-01

開本： 24cm 頁數： 316頁

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版權信息
內容簡介

寬禁帶半導體氧化鎵:結構、制備與性能:structure, growth and physical properties 版權信息

ISBN：9787560664446
條形碼：9787560664446 ; 978-7-5606-6444-6
裝幀：一般膠版紙
冊數：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業技術
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電子通信

寬禁帶半導體氧化鎵:結構、制備與性能:structure, growth and physical properties 內容簡介

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，并對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。

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