第1章  基礎(chǔ)知識(shí)  1.1 硅片  1.2 清洗  1.3 氧化  1.4 擴(kuò)散  1.5 離子注入  1.6 光刻  1.7 刻蝕  1.8 化學(xué)氣相沉積  1.8 apcvd  1.8 lpcvd  1.8 pecvd  1.9 物理氣相沉積    1.9.1 蒸發(fā)    1.9.2 磁控濺射第2章  基礎(chǔ)工藝實(shí)驗(yàn)  2.1 清洗工藝實(shí)驗(yàn)    2.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.1.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.1.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.1.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.1.6 注意事項(xiàng)    2.1.7 思考題  2.2 氧化工藝實(shí)驗(yàn)    2.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.2.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.2.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.2.6 注意事項(xiàng)    2.2.7 思考題  2.3 擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)    2.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.3.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.3.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.3.6 注意事項(xiàng)    2.3.7 思考題  2.4 離子注入實(shí)驗(yàn)    2.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.4.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.4.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.4.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.4.6 注意事項(xiàng)    2.4.7 思考題  2.5 光刻實(shí)驗(yàn)    2.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.5.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.5.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.5.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.5.6 注意事項(xiàng)    2.5.7 思考題  2.6 濕法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)    2.6.1 硅刻蝕    2.6.2 濕法刻蝕實(shí)驗(yàn)    2.6.3 氮化硅的刻蝕    2.6.4 鋁刻蝕  2.7 干法刻蝕實(shí)驗(yàn)    2.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.7.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.7.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.7.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.7.6 注意事項(xiàng)    2.7.7 思考題  2.8 化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)    2.8.1 lpcvd制備si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜    2.8.2 pecvd制備si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜  2.9 金屬薄膜制備實(shí)驗(yàn)    2.9.1 電子束蒸發(fā)工藝實(shí)驗(yàn)    2.9.2 磁控濺射工藝實(shí)驗(yàn)  2.10 金屬剝離工藝實(shí)驗(yàn)    2.10.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   2.10.2 實(shí)驗(yàn)原理    2.10.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    2.10.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    2.10.5 實(shí)驗(yàn)步驟    2.10.6 注意事項(xiàng)    2.10.7 思考題第3章  基礎(chǔ)測(cè)試實(shí)驗(yàn)  3.1 物理性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)    3.1.1 sio2厚度測(cè)試實(shí)驗(yàn)    3.1.2 方塊電阻的測(cè)量實(shí)驗(yàn)    3.1.3 結(jié)深的測(cè)量實(shí)驗(yàn)  3.2 電學(xué)性能測(cè)試    3.2.1 晶圓級(jí)二極管性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)    3.2.2 晶圓級(jí)雙極型晶體管性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)    3.2.3 晶圓級(jí)mos管性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)第4章  微電子制造綜合實(shí)驗(yàn)  4.1 二極管制造實(shí)驗(yàn)    4.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.1.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.1.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.1.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.1.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.1.7 思考題  4.2 肖特基二極管制造試驗(yàn)    4.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.2.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.2.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.2.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.2.7 思考題  4.3 三極管制造實(shí)驗(yàn)    4.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.3.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.3.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.3.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.3.7 思考題  4.4 cmos管制造實(shí)驗(yàn)    4.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.4.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.4.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.4.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.4.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.4.7 思考題  4.5 集成電阻器制造實(shí)驗(yàn)    4.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.5.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.5.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.5.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.5.6 實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)    4.5.7 思考題  4.6 集成運(yùn)算放大器參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)    4.6.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.6.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.6.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.6.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.6.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.6.6 思考題  4.7 邏輯ic功能和參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)    4.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;   4.7.2 實(shí)驗(yàn)原理    4.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容    4.7.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與器材    4.7.5 實(shí)驗(yàn)步驟    4.7.6 思考題主要參考文獻(xiàn)