第1章 輻射環境與基本輻射效應 1.1 空間輻射環境 1.2 基本輻射效應 本章參考文獻 第2章 半導體器件的輻射效應損傷機理 2.1 總劑量效應對半導體器件的損傷機理 2.2 單粒子效應對集成電路的損傷機理 2.3 CMOS工藝輻射效應機理 2.4 SiGe HBT BiCMOS工藝 本章參考文獻 第3章 工藝抗輻射加固技術 3.1 CMOS工藝襯底選擇 3.2 CMOS工藝氧化工序 3.3 CMOS三阱工藝 3.4 CMOS工藝尺寸對抗輻射性能的影響 3.5 雙極工藝優化技術 本章參考文獻 第4章 版圖抗輻射加固技術 4.1 環柵晶體管 4.2 單粒子閂鎖版圖加固 4.3 SiGe HBT版圖加固 本章參考文獻 第5章 電路抗輻射加固技術 5.1 模擬電路加固技術 5.2 數字電路加固技術 5.3 系統級加固技術 本章參考文獻 第6章 模擬／混合信號集成電路加固技術實踐研究 6.1 單粒子效應的仿真及建模技術 6.2 總劑量效應的仿真及建模技術 6.3 輻射加固標準數字單元庫的開發設計 6.4 帶隙基準源加固設計 6.5 放大器與比較器加固設計 6.6 鎖相環加固設計 6.7 模擬開關加固設計 6.8 A／D、D／A轉換器的加固設計 本章參考文獻 第7章 模擬／混合信號集成電路輻射測試技術 7.1 模擬／混合信號電路測試系統 7.2 總劑量測試 7.3 單粒子輻射測試 本章參考文獻 第8章 模擬／混合信號集成電路抗輻射加固發展趨勢 8.1 需求分析 8.2 現狀分析 8.3 發展趨勢及挑戰 本章參考文獻 名詞索引 附錄 部分彩圖