第1章 納米加工研究方向簡介 1.1 納米加工 1.2 納米光刻 1.3 納米薄膜沉積 1.4 納米尺度下的刻蝕及圖形化工藝 1.5 小結(jié) 參考文獻 第2章 電子束曝光與顯影的基本原理 2.1 引言 2.1.1 電子傳輸 2.1.2 電子束抗蝕劑 2.1.3 抗蝕劑的顯影 2.1.4 工藝參數(shù) 2.2 PMMA抗蝕劑工藝窗口 2.2.1 溫度對工藝窗口的影響 2.2.2 曝光劑量和顯影時間的相互影響 2.2.3 曝光電壓的影響 2.3 EBL工藝優(yōu)化：典型示例 2.3.1 低壓曝光、低溫顯影PMMA工藝 2.3.2 通過控制PMMA實現(xiàn)亞20nm寬橋結(jié)構(gòu) 2.3.3 HSQ亞10nm工藝 2.3.4 HSQ抗蝕劑作為刻蝕掩模：8nm寬橋結(jié)構(gòu) 2.4 緣襯底 2.5 小結(jié) 參考文獻 第3章 電子束曝光與抗蝕劑工藝的模擬仿真 3.1 引言 3.2 仿真流程圖 3.3 電子束曝光仿真模塊 3.3.1 建模方法 3.3.2 能量沉積函數(shù) 3.3.3 電子束形效應 3.3.4 模擬版圖中的能量分布 3.3.5 鄰近效應校正 3.4 抗蝕劑模擬模塊 3.4.1 宏觀尺度下的抗蝕劑建模 3.4.2 介觀尺度下的抗蝕劑顯影模型建模 3.5 電子束曝光模擬的商用化軟件 3.5.1 電子束一物質(zhì)相互作用 3.5.2 鄰近效應校正 3.5.3 現(xiàn)代化的軟件工具 3.6 實例 3.6.1 電子束圖形化模擬及其在多層膜襯底上復雜版圖的測量 3.6.2 模擬電子束曝光中白噪聲對32nm節(jié)點CD及LER的影響 3.7 小結(jié) 參考文獻 第4章 氦離子光刻的原理及性能 4.1 引言 4.2 氮離子束系統(tǒng) 4.3 氮離子與物質(zhì)的相互作用