第1章 引言
1.1 綜述
1.2 CMOS圖像傳感器的簡(jiǎn)史
1.3 智能CMOS圖像傳感器發(fā)展簡(jiǎn)史
1.4 本書的內(nèi)容安排
第2章 CMOS圖像傳感器技術(shù)基礎(chǔ)
2.1 概述
2.2 光電探測(cè)器的基本原理
2.2.1 吸收系數(shù)
2.2.2 少數(shù)載流子的行為
2.2.3 靈敏度和量子效率
2.3 智能CMOS圖像傳感器中的光電探測(cè)器
2.3.1 PN結(jié)光電二極管
2.3.2 光電門
2.3.3 光電晶體管
2.3.4 雪崩光電二極管
2.3.5 光電導(dǎo)探測(cè)器
2.4 PD的積累模式
2.4.1 積累模式下的電勢(shì)變化
2.4.2 勢(shì)壘描述
2.4.3 PD中光生載流子的運(yùn)動(dòng)
2.5 基本像素結(jié)構(gòu)
2.5.1 無(wú)源像素傳感器
2.5.2 3T-APS有源像素傳感器
2.5.3 4T-APS有源像素傳感器
2.6 傳感器的外設(shè)
2.6.1 尋址
2.6.2 讀出電路
2.6.3 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器
2.7 傳感器的基本特性
2.7.1 噪聲
2.7.2 動(dòng)態(tài)范圍
2.7.3 速度
2.8 色彩
2.9 像素共享
2.10 像素結(jié)構(gòu)比較
2.11 與CCD的比較
第3章 智能功能和材料
3.1 簡(jiǎn)介
3.2 像素結(jié)構(gòu)
3.2.1 電流模式
3.2.2 對(duì)數(shù)傳感器
3.3 模擬域操作
3.3.1 WTA模式
3.3.2 映射
3.3.3 電阻網(wǎng)絡(luò)
3.4 脈沖調(diào)制
3.4.1 脈沖寬度調(diào)制
3.4.2 脈沖頻率調(diào)制
3.5 數(shù)字處理
3.6 硅以外的材料
3.6.1 *緣體上硅
3.6.2 擴(kuò)展檢測(cè)波長(zhǎng)
3.7 非標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)結(jié)構(gòu)
3.7.1 3D集成
3.7.2 集成光發(fā)射器
3.7.3 通過(guò)非標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)顏色識(shí)別
第4章 智能成像
4.1 簡(jiǎn)介
4.2 低光成像
4.2.1 低光成像中的主動(dòng)復(fù)位
4.2.2 PFM在低光成像中的應(yīng)用
4.2.3 差分APS
4.2.4 采用Geiger模式APD的智能CMOS圖像傳感器
4.3 高速度
4.3.1 全局快門
4.4 寬動(dòng)態(tài)范圍
4.4.1 寬動(dòng)態(tài)范圍的原理
4.4.2 雙重敏感性
4.4.3 非線性響應(yīng)
4.4.4 多次采樣
4.4.5 飽和探測(cè)
4.4.6 亮度擴(kuò)散
4.5 解調(diào)
4.5.1 解調(diào)的原理
4.5.2 相關(guān)法
4.5.3 雙電荷存儲(chǔ)區(qū)法
4.6 三維測(cè)距
4.6.1 時(shí)差測(cè)距
4.6.2 三角測(cè)距
4.6.3 關(guān)鍵值深度法
4.7 目標(biāo)追蹤
4.7.1 用于目標(biāo)追蹤的*大值檢測(cè)法
4.7.2 用于目標(biāo)追蹤的投影法
4.7.3 基于電阻網(wǎng)絡(luò)及其他模擬處理的目標(biāo)追蹤
4.7.4 基于數(shù)字處理的目標(biāo)追蹤
4.8 像素與光學(xué)系統(tǒng)的專用裝置
4.8.1 非正交排列
4.8.2 專用光學(xué)系統(tǒng)
第5章 應(yīng)用
5.1 引言
5.2 信息和通信應(yīng)用
5.2.1 光學(xué)識(shí)別標(biāo)簽
5.2.2 無(wú)線光通信
5.3 生物技術(shù)的應(yīng)用
5.3.1 多模式功能的智能圖像傳感器
5.3.2 結(jié)合MEMS技術(shù)電位成像
5.3.3 光學(xué)和電化學(xué)成像的智能CMOS傳感器
5.3.4 熒光探測(cè)
5.4 醫(yī)學(xué)上的應(yīng)用
5.4.1 膠囊型內(nèi)窺鏡
5.4.2 視網(wǎng)膜假體
附錄A 常量表
附錄B 光照度
附錄C 人眼和CMOS圖像傳感器
附錄D MOS電容的基本特性
附錄E MOSFET的基本特性
附錄F 光學(xué)格式和分辨率
參考文獻(xiàn)