第1章 概論 1.1 MEMS封裝的功能與要求 1.2 MEMS封裝的分類 1.3 MEMS封裝的特點(diǎn) 1.4 MEMS封裝面臨的挑戰(zhàn) 1.5 封裝歷史與發(fā)展趨勢(shì) 1.5.1 MEMS封裝的發(fā)展 1.5.2 MEMS封裝的發(fā)展趨勢(shì) 參考文獻(xiàn)第2章 硅圓片級(jí)封裝技術(shù) 2.1 硅片直接鍵合技術(shù) 2.1.1 硅片直接鍵合技術(shù)的分類 2.1.2 鍵合前的清洗 2.1.3 鍵合表面的活化 2.1.4 平整度對(duì)鍵合的影響 2.1.5 鍵合后的熱處理 2.1.6 鍵合質(zhì)量的表征 2.2 陽(yáng)極鍵合技術(shù) 2.3 微帽封裝技術(shù)——基于玻璃／硅／玻璃三層結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)封裝 2.3.1 圓片級(jí)封裝工藝中的關(guān)鍵工藝 2.3.2 圓片級(jí)保護(hù)性封裝 2.3.3 圓片級(jí)密封封裝 2.4 薄膜封裝技術(shù) 2.4.1 薄膜封裝實(shí)例——諧振器Poly—C薄膜封裝 2.4.2 CVD Poly-C技術(shù) 2.4.3 諧振器設(shè)計(jì)和測(cè)量 2.4.4 懸臂梁諧振器封裝前后測(cè)試比較 2.5 圓片級(jí)三維封裝技術(shù) 2.5.1 基本概念 2.5.2 圓片級(jí)三維封裝中的深過孔電互連技術(shù) 參考文獻(xiàn)第3章 非硅圓片級(jí)封裝技術(shù) 3.1 基于絲網(wǎng)印刷技術(shù)的圓片級(jí)封裝 3.2 基于金屬焊料的圓片級(jí)封裝技術(shù)研究 3.3 圓片級(jí)MEMS聚合物封裝技術(shù)研究 3.3.1 目的和意義 3.3.2 封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 3.3.3 封裝圓片的材料選擇和制作 3.3.4 PMMA直接鍵合 3.3.5 SU8鍵合封裝技術(shù) 3.3.6 Epo-tek301鍵合封裝技術(shù) 3.3.7 基于聚合物鍵合的微流體封裝 3.4 其他封接技術(shù) 3.4.1 設(shè)計(jì)與建模 3.4.2 結(jié)果與討論 參考文獻(xiàn)第4章 器件級(jí)封裝技術(shù) 4.1 引線鍵合 4.1.1 概述 4.1.2 引線鍵合技術(shù) 4.2 塑料封裝 4.2.1 塑料封裝的工藝流程和基本工序 4.2.2 塑封材料 4.2.3 傳遞模注封裝 4.3 陶瓷封裝 4.3.1 陶瓷封裝概述 4.3.2 陶瓷封裝工藝流程 4.3.3 陶瓷封裝發(fā)展趨勢(shì) 4.4 金屬封裝 4.4.1 金屬封裝的概念 4.4.2 金屬封裝的特點(diǎn) 4.4.3 金屬封裝的工藝流程 4.4.4 傳統(tǒng)金屬封裝材料 4.4.5 新型金屬封裝材料 4.4.6 金屬封裝案例 參考文獻(xiàn)第5章 模塊級(jí)封裝技術(shù) 5.1 LTCC基板封裝 5.1.1 LTCC封裝基板技術(shù)概述 5.1.2 LTCC基板在MEMS器件級(jí)封裝中的應(yīng)用 5.1.3 基于LTCC材料的微納器件 5.1.4 多功能化LTCC先進(jìn)封裝基板與系統(tǒng)級(jí)封裝 5.1.5 LTCC基板材料的微結(jié)構(gòu)、微力學(xué)性能及失效分析技術(shù) 5.2 SMT組裝 5.2.1 表面貼裝技術(shù)概述 5.2.2 面I~MEMS器件的SMI'中的工藝設(shè)計(jì) 5.2.3 SMq、封裝中的焊球可靠性分析實(shí)例 5.3 MCM加固 參考文獻(xiàn)第6章 真空封裝技術(shù) 6.1 基本原理 6.1.1 封閉空間內(nèi)的壓強(qiáng)退化 6.1.2 低壓腔內(nèi)的壓強(qiáng)變化分析 6.1.3 填充氣體的腔內(nèi)壓強(qiáng)變化分析 6.2 背面通孔引線圓片級(jí)真空封裝整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 6.3 通孔引線技術(shù) 6.3.1 現(xiàn)有引線技術(shù) 6.3.2 通孔引線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 6.3.3 背面通孔引線的寄生電容 6.3.4 通孔引線工藝 6.4 基于鍵合的圓片級(jí)密封技術(shù) 6.4.1 鍵合技術(shù) 6.4.2 玻璃一硅～玻璃三層鍵合 6.4.3 圓片級(jí)玻璃封蓋密封工藝 6.5 真空度保持技術(shù) 6.5.1 吸氣劑的考慮 6.5.2 吸氣劑研究 6.5.3 圓片級(jí)置入吸氣劑工藝 6.6 真空度測(cè)量技術(shù) 6.6.1 真空度測(cè)試方法簡(jiǎn)介 6.6.2 MEMS真空封裝的真空度檢測(cè)方法 6.6.3 MEMS皮拉尼計(jì)研究進(jìn)展 6.6.4 MEMS皮拉尼計(jì)原理與設(shè)計(jì) 6.6.5 MEMS皮拉尼計(jì)制作 6.6.6 MEMS皮拉尼計(jì)測(cè)試與結(jié)果分析 參考文獻(xiàn)第7章 微米納米封裝技術(shù)的應(yīng)用 7.1 慣性測(cè)量單元封裝技術(shù) 7.2 MOEMS器件的封裝技術(shù) 7.2.1 MOEMS器件 7.2.2 MOEMS器件的封裝 參考文獻(xiàn)第8章 封裝技術(shù)展望 8.1 封裝發(fā)展總體趨勢(shì) 8.1.1 多芯片及系統(tǒng)級(jí)封裝 8.1.2 低成本大批量、綠色封裝 8.2 MEMS技術(shù)在生物和微流體領(lǐng)域的應(yīng)用 8.2.1 生物領(lǐng)域 8.2.2 微流體 8.3 納米封裝技術(shù)發(fā)展概況 8.3.1 納米封裝的出現(xiàn) 8.3.2 納米封裝技術(shù)的發(fā)展 8.4 多傳感技術(shù) 8.5 抗惡劣環(huán)境的封裝技術(shù) 8.5.1 有機(jī)復(fù)合材料的封裝技術(shù) 8.5.2 光纖封裝 8.6 面臨的一些問題和挑戰(zhàn) 參考文獻(xiàn)