第1章 緒論 1.1 引言 1.2 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的應(yīng)用 1.2.1 光電解水制氫 1.2.2 光催化 1.2.3 太陽能電池 1.2.4 傳感器 1.2.5 儲(chǔ)氫 1.2.6 生物醫(yī)學(xué) 1.2.7 其他 1.3 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的制備 1.3.1 模板法 1.3.1.1 以氧化鋁為模板 1.3.1.2 以納米線為模板 1.3.2 陽極氧化法 1.3.2.1 TiO2納米管陣列的形成機(jī)理 1.3.2.2 制備參數(shù)對(duì)TiO2納米管陣列結(jié)構(gòu)及性能的影響 1.4 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的改性 1.4.1 染料敏化 1.4.2 離子摻雜 1.4.2.1 非金屬離子摻雜 1.4.2.2 金屬離子摻雜 1.4.3 金屬沉積 1.4.4 窄帶半導(dǎo)體改性 1.4.4.1 CuO／Cu2O改性 1.4.4.2 Fe2O3改性 1.4.4.3 CdX(X=S、Se、Te)改性 1.5 本文研究?jī)?nèi)容和意義第2章 陽極氧化電流密度對(duì)Ti02納米管陣列形貌的影響 2.1 引言 2.2 實(shí)驗(yàn)材料與方法 2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料、試劑及儀器 2.2.2 實(shí)驗(yàn)過程和技術(shù)路線 2.2.2.1 TiO2納米管陣列膜的制備 2.2.2.2 TiO2納米管陣列表征 2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析 2.3.1 陽極氧電流密度對(duì)TiO2納米管陣列形貌的影響 2.3.2 TiO2納米管陣列的XRD分析 2.4 本章小結(jié)第3章 CdS、CdSe在TiO2納米管內(nèi)的沉積機(jī)理與物性 3.1 引言 3.2 實(shí)驗(yàn)材料與方法 3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料、試劑及儀器 3.2.2 實(shí)驗(yàn)過程和技術(shù)路線 3.2.2.1 CdS在Ti02納米管內(nèi)沉積改性 3.2.2.2 CdSe在TiO2納米管內(nèi)沉積改性 3.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析 3.3.1 CdS在TiO2納米管內(nèi)沉積改性 3.3.1.1 浸漬時(shí)間對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.2 先期導(dǎo)入離子濃度對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.3 離子導(dǎo)入順序?qū)dS形貌的影響 3.3.1.4 洗滌對(duì)CdS形貌的影響 3.3.1.5 CdS形貌對(duì)改性納米陣列的光學(xué)性能的影響 3.3.1.6 CdS形貌對(duì)改性納米陣列的光電性能的影響 3.3.2 CdSe在TiO2納米管內(nèi)沉積改性及其性能 3.3.2.1 Se2-溶液中浸漬時(shí)間對(duì)CdSe形貌的影響 3.3.2.2 CdSe改性納米管陣列的光學(xué)性能 3.3.2.3 CdSe改性納米陣列的光電性能 3.4本章 小結(jié)第4章 Cds-CdSe在TiO2納米管內(nèi)可控共沉積及物性 4.1 引言 4.2 Cdse／CdS／TiO2納米復(fù)合功能材料的構(gòu)筑 4.2.1 合成工藝 4.2.2 參數(shù)控制 4.3 材料表征與性能檢測(cè) 4.3.1 改性材料微結(jié)構(gòu) 4.3.2 改性材料的光學(xué)性能 4.3.3 改性材料的光電性能 4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 4.4.1 改性材料微結(jié)構(gòu) 4.4.1.1 CdS改性前后納米管陣列的微觀結(jié)構(gòu) 4.4.1.2 CdSe改性后的CdS／TiO2納米管微觀結(jié)構(gòu) 4.4.2 改性材料的光學(xué)性能 4.4.2.1 改性材料的UV-vis光譜分析 4.4.2.2 改性材料的光學(xué)能帶隙 4.4.3 改性材料的光電性能 4.4.3.1 改性材料的I-V曲線 4.4.3.2 改性材料的*大光電流與沉積層厚度的關(guān)系 4.4.3.3 改性材料的*大光電流與改性材料內(nèi)徑的關(guān)系 4.5 本章小結(jié)第5章 Pt在cdse／CdS／TiO2復(fù)合材料上的沉積及物性 5.1 引言 5.2 Pt改性復(fù)合材料制備工藝 5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料 5.2.2 Pt-TiO2復(fù)合材料中Pt含量的設(shè)計(jì) 5.2.2.1 沉積電壓、時(shí)間對(duì)沉積過程的影響 5.2.2.2 Pt-TiO2體系中Pt含量的控制 5.2.2.3材料結(jié)構(gòu)表征與性能測(cè)試 5.2.3 Pt-CdSe／CdS／TiO2復(fù)合材料的制備 5.2.3.1 參數(shù)控制 5.2.3.2 材料結(jié)構(gòu)表征與性能測(cè)試 5.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 5.3.1 沉積電壓、時(shí)間對(duì)Pt-TiO2納米管陣列性能的影響 5.3.1.1 Pt-TiO2納米管陣列的微觀結(jié)構(gòu) 5.3.1.2 Pt-TiO2納米管陣列的光學(xué)性能 5.3.1.3 Pt-TiO2納米管陣列的光電性能 5.3.1.4 不同負(fù)載方式對(duì)Pt-TiO2納米陣列性能的影響 5.3.2 Pt-CdSe／CdS／TiO2納米管陣列的表征 5.3.2.1 Pt-CdSe／CdS／TiO2材料的微觀結(jié)構(gòu) 5.3.2.2 Pt-CdSe／CdS／TiO2材料的光學(xué)性能 5.4 本章小結(jié)第6章 總結(jié)與展望 6.1 總結(jié) 6.2 創(chuàng)新之處 6.3 工作展望參考文獻(xiàn)